|
Захват носителя заряда полупроводника | |
| Захват носителя заряда полупроводника - исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника ЗАХВАТ НОСИТЕЛЯ (кр.ф.) ГОСТ 22622-77 | ||